Kapasitor snubber GTO dalam peralatan elektronik kuasa

Penerangan Ringkas:

Litar snubber adalah penting untuk diod yang digunakan dalam litar pensuisan.Ia boleh menyelamatkan diod daripada pancang voltan lampau, yang mungkin timbul semasa proses pemulihan terbalik.

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Data teknikal

Julat suhu operasi	Max.Suhu operasi.,Atas,maks: + 85℃Suhu kategori atas: +85℃Suhu kategori rendah: -40℃
julat kapasiti	0.22～3μF
Voltan terkadar	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Menahan voltan	1.35Un DC/10S
Faktor pelesapan	tgδ≤0.001 f=1KHz
Rintangan penebat	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (pada 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (pada 20℃ 100V.DC 60S)
Menahan arus mogok	lihat lembaran data
Jangka hayat	100000j(Un; Θhotspot≤70°C)
Standard rujukan	IEC 61071 ;

Ciri

1. Pita Mylar, Dimeterai dengan resin;

2. Plumbum kacang tembaga;

3. Rintangan kepada voltan tinggi, tgδ rendah, kenaikan suhu rendah;

4. ESL dan ESR rendah;

5. Arus nadi tinggi.

Permohonan

1. GTO Snubber.

2. digunakan secara meluas dalam peralatan elektronik kuasa apabila voltan puncak, perlindungan penyerapan arus puncak.

Litar biasa

Lukisan garis besar

Spesifikasi

Un=3000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasitans(μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasitansi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70