Kapasitor Snubber pembuatan kilang untuk Igbt - Dielektrik kehilangan rendah bagi kapasitor Snubber filem polipropilena untuk aplikasi IGBT – CRE

Penerangan Ringkas:

Hantar emel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Video Berkaitan

Maklum Balas (2)

Inovasi, kecemerlangan dan kebolehpercayaan adalah nilai teras syarikat kami. Prinsip-prinsip ini hari ini lebih daripada sebelumnya membentuk asas kejayaan kami sebagai perniagaan bersaiz sederhana yang aktif di peringkat antarabangsa untukKapasitor Dc-Link Untuk Aplikasi Automotif , Kapasitor Dc-Link Dalam Penukar Kuasa , Kapasitor Filem Polipropilena Voltan TinggiKami mengutamakan kualiti dan kepuasan pelanggan dan untuk ini kami mengikuti langkah kawalan kualiti yang ketat. Kami mempunyai kemudahan ujian dalaman di mana produk kami diuji pada setiap aspek pada peringkat pemprosesan yang berbeza. Menggunakan teknologi terkini, kami memudahkan pelanggan kami dengan kemudahan pengeluaran tersuai.

Kapasitor Snubber pembuatan kilang untuk Igbt - Dielektrik kehilangan rendah bagi kapasitor Snubber filem polipropilena untuk aplikasi IGBT – Perincian CRE:

Siri SMJ-P

Julat Voltan Dinilai: 1000 VDC hingga 2000 VDC
Julat Kapasitans: 0.1 uf hingga 3.0 uf
Jarak Pemasangan: 22.5 mm hingga 48 mm
Pembinaan: Sambungan Siri Dalaman Dielektrik Polipropilena Berlogam
Aplikasi: Perlindungan IGBT, Litar Tangki Resonans

Elemen kapasitor snubber jenis kering yang menyembuhkan sendiri dihasilkan menggunakan filem PP berlogam potongan gelombang berprofil khas yang memastikan kearuhan sendiri yang rendah, rintangan pecah yang tinggi dan kebolehpercayaan yang tinggi. Pemotongan tekanan berlebihan tidak dianggap perlu. Bahagian atas kapasitor dimeteraikan dengan epoksi pemadam sendiri yang mesra alam. Reka bentuk khas memastikan kearuhan sendiri yang sangat rendah.

IMG_0397.HEIC

Jadual spesifikasi

Voltan	Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
	Dimensi (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

Voltan	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	Dimensi (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Voltan	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

Voltan	Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

Voltan	Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

Voltan	Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Gambar butiran produk:

Panduan Produk Berkaitan:

Kami mengambil "mesra pelanggan, berorientasikan kualiti, integratif, inovatif" sebagai objektif. "Kebenaran dan kejujuran" ialah pengurusan ideal kami untuk Kapasitor Snubber Pembuatan Kilang Untuk Igbt - Dielektrik kehilangan rendah bagi kapasitor Snubber filem polipropilena untuk aplikasi IGBT – CRE, Produk ini akan dibekalkan ke seluruh dunia, seperti: Ghana, Haiti, Brasilia. Produk kami diiktiraf dan dipercayai secara meluas oleh pengguna dan dapat memenuhi keperluan ekonomi dan sosial yang sentiasa berubah. Kami mengalu-alukan pelanggan baharu dan lama dari semua lapisan masyarakat untuk menghubungi kami untuk hubungan perniagaan masa depan dan kejayaan bersama!

Bank Kapasitor Filem Ac

Kapasitor Bekalan Kuasa AC

Kapasitor Filem Reka Bentuk Padat

Kapasitor Filem Tersuai

Kapasitor Dc-Link Untuk Sistem Tenaga Boleh Diperbaharui

Kapasitor Elektronik

Kapasitor Filem Direka Untuk Inverter Pv

Kapasitor Filem Berprestasi Tinggi

Kapasitor Pautan Dc Inverter

Kapasitor Filem yang Diluluskan oleh Ul

Kualiti produk baik, sistem jaminan kualiti lengkap, setiap pautan boleh bertanya dan menyelesaikan masalah dengan tepat pada masanya!

Oleh Yannick Vergoz dari Oman - 2017.09.28 18:29

Berpegang pada prinsip perniagaan faedah bersama, kami mempunyai transaksi yang gembira dan berjaya, kami fikir kami akan menjadi rakan kongsi perniagaan yang terbaik.

Oleh Gail dari Kaherah - 2018.11.11 19:52