• bbb

Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik 2018 Untuk Penapisan Ac - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber kelas tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – CRE

Penerangan Ringkas:


Butiran Produk

Tag Produk

Video Berkaitan

Maklum Balas (2)

Kami akan berusaha sedaya upaya dan bekerja keras untuk menjadi hebat dan cemerlang, dan mempercepatkan langkah kami untuk berada di kedudukan dalam pangkat perusahaan berteknologi tinggi dan bertaraf tinggi antara benua untukKapasitor AC Untuk Penapisan Pasif Tertala , Kapasitor Tin Aluminium , Kapasitor Filem Berprestasi Tinggi, Kami dengan ikhlas mengalu-alukan pelanggan dari seluruh dunia untuk melawat kami, dengan kerjasama pelbagai aspek kami dan menyelesaikan tugas antara satu sama lain untuk membangunkan pasaran baharu, membina masa depan yang cemerlang dan saling menguntungkan.
Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik 2018 Untuk Penapisan Ac - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber kelas tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – Perincian CRE:

Data teknikal

Julat suhu operasi Suhu operasi maksimum., Atas, maksimum: +105℃

Suhu kategori atas: +85℃

Suhu kategori bawah: -40℃

julat kapasitans 0.1μF~5.6μF
Voltan yang dinilai 700V.DC~3000V.DC
Cap.tol ±5%(J);±10%(K)
Menahan voltan 1.5Un DC/10S
Faktor pelesapan tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

Rintangan penebat

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (pada 20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (pada20℃ 100V.DC 60S)

Menahan arus mogok

lihat helaian data

Kerencatan api

UL94V-0

Jangka hayat

100000j(Un; Θhotspot≤85°C)

Piawaian rujukan

IEC61071;GB/T17702;

Jadual spesifikasi

Voltan Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V
Dimensi (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Voltan Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
Dimensi (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Voltan Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
Voltan Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
Voltan Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Voltan Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Gambar butiran produk:

Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik 2018 Untuk Penapisan Ac - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber bertaraf tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – gambar terperinci CRE

Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik 2018 Untuk Penapisan Ac - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber bertaraf tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – gambar terperinci CRE

Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik 2018 Untuk Penapisan Ac - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber bertaraf tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – gambar terperinci CRE

Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik 2018 Untuk Penapisan Ac - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber bertaraf tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – gambar terperinci CRE


Panduan Produk Berkaitan:

Didedikasikan kepada pengurusan berkualiti tinggi yang ketat dan sokongan pembeli yang bertimbang rasa, ahli pekerja berpengalaman kami biasanya sedia untuk membincangkan spesifikasi anda dan memastikan kepuasan pembeli sepenuhnya untuk 2018 Kapasitor Kuasa Berkualiti Baik Untuk Penapisan AC - Reka bentuk kapasitor IGBT Snubber kelas tinggi untuk aplikasi kuasa tinggi – CRE, Produk ini akan dibekalkan ke seluruh dunia, seperti: Macedonia, Muscat, Yaman, Kami mempunyai pengalaman yang mencukupi dalam menghasilkan produk mengikut sampel atau lukisan. Kami sangat mengalu-alukan pelanggan dari dalam dan luar negara untuk melawat syarikat kami, dan bekerjasama dengan kami untuk masa depan yang gemilang bersama-sama.
  • Kualiti yang baik, harga yang berpatutan, pelbagai jenis dan perkhidmatan selepas jualan yang sempurna, memang bagus! 5 Bintang Oleh Mary dari Sweden - 2018.08.12 12:27
    Pengurus akaun syarikat mempunyai banyak pengetahuan dan pengalaman industri, beliau boleh menyediakan program yang sesuai mengikut keperluan kami dan fasih berbahasa Inggeris. 5 Bintang Oleh Henry stokeld dari Seychelles - 2017.08.28 16:02

    Hantarkan mesej anda kepada kami:

    Tulis mesej anda di sini dan hantarkannya kepada kami

    Hantarkan mesej anda kepada kami: